损失数十亿!南亚内存20nm技术被内鬼偷走:源自美光
发布日期:2024-03-06 04:27    点击次数:202
南亚计划今年投产基于第二代10nm工艺的8Gb DDR4、16Gb DDR5内存芯片,年资本支出预计约200亿台币。

据媒体报道,中国台湾内存大厂南亚(Nanya)发生了一起内部窃密案,涉及到20nm工艺技术,造成严重损失。

2015-2016年间,南亚从美光引入了20nm DRAM内存芯片制造工艺,曾向相关业务部门的员工开设了线上培训课程。

南亚锦兴工厂的一位李姓小组长在参加培训的过程中,通过截屏的方式,偷偷记录了相关技术资料,作为自己后续跳槽的资本。

李某被抓获后,桃园地检署对其提出起诉,认定相关资料具有秘密性、经济价值。

中国台湾最高法院一审认为,李某为了跳槽而复制具有重大经济价值、关乎企业生存的先进制造技术秘密,而且态度恶劣、否认罪行,根据商业秘密法,判处1年10月徒刑。

对此判决,李某和检方不服,双双提起上诉。

检方称,涉密资料的的经济价值高达数10亿元新台币,李某的行为导致南亚蒙受巨额损失,要求重判。

南亚2023年收入298.92亿台币,大跌47.51%,税后净亏损74.48亿台币,毛利率-15%,营业利润率-48.37%。

南亚计划今年投产基于第二代10nm工艺的8Gb DDR4、16Gb DDR5内存芯片,年资本支出预计约200亿台币。

损失数十亿!南亚内存20nm技术被内鬼偷走:源自美光